芯片冷熱沖擊測(cè)試箱是一種模擬自然界溫度急 劇變化的試驗(yàn)設(shè)備,通過它能測(cè)試產(chǎn)品在溫度快速變化的過程中所受到的物理和化學(xué)方面的損害,從而發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品潛在的質(zhì)量問題，進(jìn)而對(duì)其改進(jìn)優(yōu)化。

芯片冷熱沖擊測(cè)試箱主要用于電子電器零組件塑膠等行業(yè)，國(guó)防工業(yè)、兵工業(yè)、航天、BGA、PCB基扳、、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車配件、金屬、化學(xué)材料、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化進(jìn)行試驗(yàn),可確認(rèn)產(chǎn)品在環(huán)境中突變的性能。用來(lái)測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng)*溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度，藉以在最短時(shí)間內(nèi)試驗(yàn)其熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理變化。

性能參數(shù)參考如下：

一、低溫沖擊可選擇溫度范圍：A-20℃;B-40℃;C:55℃;D:-65℃（廠家還免費(fèi)配高溫至150度）。

二、溫度偏差：±2℃。

三、溫度波動(dòng)度：±0.5℃。

四、溫度恢復(fù)時(shí)間：≤5min。

五、溫度恢復(fù)條件：高溫150℃曝露30min低溫-20℃曝露30min，高溫150℃曝露30min低溫-40℃曝露30min，高溫150℃曝露30min低溫-55℃曝露30min，高溫150℃曝露30min低溫-65℃曝露30min。

六、溫度沖擊轉(zhuǎn)移方式：采用氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)。   

七、高溫室儲(chǔ)溫的升溫時(shí)間：30min (+25℃～+200℃)。

八、低溫室儲(chǔ)溫的降溫時(shí)間：65min (+25℃～-75℃)。

九、低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)|低溫沖擊機(jī)|沖擊試驗(yàn)機(jī)工作時(shí)的噪音：（dB）≤65( 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定≤65分貝不算噪音）